Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов был открыт в 1964 году в г. Томск. Перед НИИПП были поставлены задачи разработки технологии выращивания арсенида галлия, изучения его свойств и создания новых классов приборов на его основе. В НИИПП были разработаны процессы получения эпитаксиальных структур широкой номенклатуры для СВЧ изделий (диодов Ганна, смесительных, умножительных, детекторных, импульсных диодов и др.), оптоэлектронных диодов ИК диапазона, интегральных схем. Большинство изделий, которые выпускались и выпускаются сегодня на заводе НИИПП, обеспечивались эпитаксиальными структурами, созданными в отделе материаловедения.

Основные направления производства:

• Дискретные полупроводниковые приборы;
• Излучающие диоды ИК диапазона;
• Коммуникационное оборудование;
• Микросборки;
• Модули СВЧ;
• Монолитные интегральные схемы СВЧ и вспомогательные устройства;
• Светотехнические изделия;
• Изделия промышленной электроники;
• Изделия медицинской техники.